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J-GLOBAL ID：200902287103386500   整理番号：06A0116306

InN上の分子ビームエピタクシー成長六方晶InGaNエピ層中の立方相の生成

Generation of Cubic Phase in Molecular-Beam-Epitaxy-Grown Hexagonal InGaN Epilayers on InN
著者 (11件)：
KITAMURA Toshio

KITAMURA Toshio について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

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KITAMURA Toshio

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(Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)

Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN について

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SHEN Xu-Qiang

SHEN Xu-Qiang について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

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SHEN Xu-Qiang

SHEN Xu-Qiang について

(JST-CREST, Saitama, JPN)

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SUGIYAMA Mutsumi

SUGIYAMA Mutsumi について

(Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)

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NAKANISHI Hisayuki

NAKANISHI Hisayuki について

(Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)

Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN について

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SHIMIZU Mitsuaki

SHIMIZU Mitsuaki について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

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SHIMIZU Mitsuaki

SHIMIZU Mitsuaki について

(JST-CREST, Saitama, JPN)

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OKUMURA Hajime

OKUMURA Hajime について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

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OKUMURA Hajime

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(JST-CREST, Saitama, JPN)

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OKUMURA Hajime

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(Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)

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資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers について


巻： 45  号： 1A  ページ： 57-60  発行年： 2006年01月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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プラズマ援助分子ビームエピタクシーで成長させたN極性のInN...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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基板

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窒化ガリウムインジウム

窒化ガリウムインジウム について


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分類 (1件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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InN

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分子ビームエピタクシー成長

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六方晶

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InGaN

InGaN について

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エピ層

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