岩瀬満雄

イワセミツオ | Iwase Mitsuo

所属機関・部署：
職名：助教授

研究分野 (1件)：電気電子材料工学

研究キーワード (2件)：電子材料 , Semiconductor Devices

競争的資金等の研究課題 (4件)：

MISC (88件)：

K Sato, T Izumi, M Iwase, Y Show, H Morisaki, T Yaguchi, T Kamino. Nucleation and growth of nanocrystalline silicon studied by TEM, XPS and ESR. APPLIED SURFACE SCIENCE. 2003. 216. 1-4. 376-381
CM-GFS源を用いたPtドープTio₂薄膜の結晶構造変化. BEAMS 2001 粒子線技術シンポジウム学会. 2001. 85-88
Electron Enission from diomond films with Various Roughnesses at Sil Diamond. New Diamond and Frontier carbon Technology. 2001. 11.3.231
Effect of defects introduced by nitrogen doping on elecfron emission from diamond films. Materials chemistry and Physics. 2001
Formation of Carbon Nanotube by using RF Plasma CVD Eqipment from Acetylene and Hydrogen easese. Mate.Res.Soc.Symp.Proc. 2001. A13,12, 1-6

受賞 (1件)：

所属学会 (5件)：

日本表面科学会 , 応用物理学会 , MATERIALS RESEARCH SOCIETY , AMERICAN VACUUM SOCIETY , 電気学会

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岩瀬 満雄