文献

J-GLOBAL ID：200902211567362445   整理番号：03A0506041

ナノ結晶シリコンの核形成及び成長のTEM,XPS及びESRによる研究

Nucleation and growth of nanocrystalline silicon studied by TEM, XPS and ESR

著者 (7件)： SATO K (Tokai Univ., Kanagawa, JPN) ,  IZUMI T (Tokai Univ., Kanagawa, JPN) ,  IWASE M (Tokai Univ., Kanagawa, JPN) ,  SHOW Y (Michigan State Univ., MI, USA) ,  MORISAKI H (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  YAGUCHI T (Hitachi Sci. Systems, Ltd., Ibaraki, JPN) ,  KAMINO T (Hitachi Sci. Systems, Ltd., Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 216  号： 1/4  ページ： 376-381  発行年： 2003年06月30日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： rfスパッタリング及びその後の熱処理によるナノ結晶シリコン(...

シソーラス用語： *酸化ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0506041&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0707B") }}

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノ結晶シリコン ,  核形成 ,  成長 ,  TEM ,  XPS ,  ESR ,  研究