研究者
J-GLOBAL ID:200901072246567955   更新日: 2024年08月28日

中村 優

ナカムラ マサル | Nakamura Masaru
所属機関・部署:
職名: 主幹研究員
研究分野 (2件): 結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (6件): 光学結晶 ,  強誘導体 ,  結晶成長 ,  Optical crystal ,  Ferroelectrics ,  Crystal growth
競争的資金等の研究課題 (2件):
  • 2008 - 2010 相転移温度以上における強誘電体ドメイン構造の記憶
  • Study on the crystal growth of stoichiometric LiNbO3 and LiTaO3
論文 (106件):
  • Masaru Nakamura, Encarnación G. Víllora, Takeo Ohsawa, Kiyoshi Shimamura, Naoki Ohashi. Electronic transport properties of GeS single crystals grown by vapor transport from molten GeS source. Journal of Crystal Growth. 2023
  • Masaru Nakamura, Hiroaki Nakamura, Kiyoshi Shimamura, Naoki Ohashi. Growth and characterization of a gallium monosulfide (GaS) single crystal using the Bridgman method. Journal of Crystal Growth. 2021. 573. 126303-126303
  • Masaru Nakamura, Hiroaki Nakamura, Yoshitaka Matsushita, Kiyoshi Shimamura, Naoki Ohashi. Growth of germanium monosulfide (GeS) single crystal by vapor transport from molten GeS source using a two-zone horizontal furnace. Journal of Crystal Growth. 2020. 547. 125813-125813
  • H. Kawamoto, N. Higashitarumizu, N. Nagamura, M. Nakamura, K. Shimamura, N. Ohashi, K. Nagashio. Micrometer-scale monolayer SnS growth by physical vapor deposition. Nanoscale. 2020. 12. 45. 23274-23281
  • El-Amir A.A.M, Ohsawa T, Oshima Y, Nakamura M, Shimamura K, Ohashi N. IR photoresponse characteristics of Mg2Ge pn-junction photodiodes fabricated by rapid thermal annealing. Journal of Alloys and Compounds. 2019. 787. 578-584
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MISC (44件):
学位 (1件):
  • 博士(工学) (東京大学)
受賞 (1件):
  • 2009 - 「第3回ものづくり日本大賞 特別賞」(経済産業省)
所属学会 (5件):
日本結晶成長学会 ,  応用物理学会 ,  The Japan Society of Applied Physics ,  The Japan Institute of Metals ,  Japanese Association for Crystal Growth
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