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J-GLOBAL ID：201902253390569385   整理番号：19A0863277

急速熱アニーリングにより作製したMg_2Ge pn接合フォトダイオードのIR光応答特性【JST・京大機械翻訳】

IR photoresponse characteristics of Mg₂Ge pn-junction photodiodes fabricated by rapid thermal annealing

著者 (9件)： El-Amir Ahmed A.M. (National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  El-Amir Ahmed A.M. (Graduate School of Advanced Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Ohsawa Takeo (National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Oshima Yuichi (National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Nakamura Masaru (National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Shimamura Kiyoshi (National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Shimamura Kiyoshi (Graduate School of Advanced Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Ohashi Naoki (National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Ohashi Naoki (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Midori, Yokohama 226-8503, Japan)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 787  ページ： 578-584  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,高純度n型Mg_2Ge単結晶を,容易な成長過程を用いて窒素雰囲気下でグラファイトるつぼ中で成長させた。X線回折は,成長した結晶が他の付加的な不純物ピークのないMg_2Ge単相から成ることを証明した。へき開基板の明瞭な対称Laue回折パターンは,成長したMg_2Ge結晶インゴットの単結晶性を示した。研磨したMg_2GeウエハのHall効果測定は,後者が室温で中程度のキャリア密度(5.66×1016cm-3),移動度(253cm2/V)および電気抵抗率(0.5Ωcm)を有することを示した。キャリア密度の温度依存性の詳細な解析は,成長したMg_2Ge結晶のn型伝導を生じる浅いドナー準位がMg源材料からの意図的でないAl不純物に起因することを示した。アルゴン雰囲気中,550°C,5分間のN-MG_2Geへの銀薄層の熱拡散により,Mg_2Ge pn接合フォトダイオードも初めて作製した。結果は,作製したp-nフォトダイオードが,1.2μmで7mA/Wの最大室温ゼロバイアス光応答で0.8から1.7μmの波長範囲で明確な整流挙動と顕著なスペクトル応答を持つことを明らかにした。これらの結果は,作製したMg_2Geフォトダイオードが,上記の波長領域で短波長赤外(SWIR)光を検出するのに有望であることを示している。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *フォトダイオード ,  *マグネシウム ,  基板 ,  薄膜 ,  不純物 ,  整流 ,  アルミニウム ,  単結晶 ,  *接合 ,  温度依存性 ,  キャリア密度 ,  グラファイト ,  X線回折 ,  銀
準シソーラス用語： 短波長 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Mg_2Ge単結晶 ,  急速熱アニーリング ,  IRフォトダイオード ,  光応答 ,  J-V特性

分類 (2件)： 金属系の相平衡・状態図  (CB03012T) ,  金属,合金の化学熱力学(混合系)  (CB02032I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 急速熱アニーリング ,  作製 ,  PN接合 ,  フォトダイオード ,  IR光 ,  応答特性