研究者
J-GLOBAL ID:200901075090598960
更新日: 2022年09月02日
亀田 悦正
カメダ エツマサ | Kameda Etsumasa
所属機関・部署:
旧所属 富山工業高等専門学校 電気工学科
旧所属 富山工業高等専門学校 電気工学科 について
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職名:
教授
研究分野 (1件):
電子デバイス、電子機器
研究キーワード (2件):
半導体における電気伝導の有限要素シミュレーション
, Finite Element Simulation on Electric Conduction in Semiconductors
競争的資金等の研究課題 (6件):
1995 - 2005 Siを注入したSiO
2
におけるMOSキャパシタ-中の電気伝導
1995 - 2005 半導体中で発生する光の伝搬経路と強度
1995 - 2005 半導体中のキャリア濃度・電位分布の2次元2領域有限要素シミュレーション
1995 - 2005 Electric Conduction in MOS Capacitors with Si-implanted SiO
2
1995 - 2005 Propagation Path and Intensity of Light generated in Semiconductors
1995 - 2005 Two Dimensional Two Regional Finite Element Simulation on Distributions about Carrier-Densities and Electric Potential in Semiconductors
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MISC (24件):
亀田 悦正, 松田 敏弘, 大曽根 隆志. A Comparison of Photoemission Profiles Emitted in Semiconductor Devices and Photo-Intensity Profiles Observed by a Photoemission Microscope by Propagating Optical Path Simulation. Journal of Japan Society for Simulation Society. 2002. 21. 1. 65-71
半導体デバイス内発光分布と発光解析用顕微鏡で観測した光強度分布の光伝搬経路シミュレーションを用いた比較. シミュレーション. 2002. 21. 1. 65-71
亀田 悦正, 松田 敏弘, 大曽根 隆志. 半導体デバイス内の発光分布と発光解析用顕微鏡で観測した光強度分布の光伝搬経路シミュレーションを用いた比較. シミュレーション. 2002. 21. 1. 65-71
亀田悦正. 半導体デバイス内の反射と透過を考慮した光伝搬経路と光量強度分布解析. シミュレーション. 2001. 20. 1. 78-85
An Analytical Propagating Path and Intensity Profile of Photons Emitted in Semiconductor Devices Regarding Reflection and Refracted Transmission. Journal of the Japan Society for Simulation Technology. 2001. 20. 1. 78-85
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Works (1件):
DC-DCコンバータの特性改善法
1985 - 1987
学位 (1件):
工学修士 (名古屋大学)
委員歴 (2件):
1987 - 1988 電気学会 北陸支部評議員,北陸支部評議員
1978 - 1979 電子情報通信学会 北陸支部庶務幹事
所属学会 (4件):
日本学生相談学会
, 日本シミュレーション学会
, 電子情報通信学会
, 電気学会
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