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J-GLOBAL ID：200902101736045306   整理番号：02A0394970

半導体デバイス内の発光分布と発光解析用顕微鏡で観測した光強度分布の光伝搬経路シミュレーションを用いた比較

A Comparison of Photoemission Profiles Emitted in Semiconductor Devices and Photo-Intensity Proleles Observed by a Photoemission Microscope by Propagating Optical Path Simulation.

著者 (3件)： 亀田悦正 (富山工高専) ,  松田敏弘 (富山県大 工) ,  大曽根隆志 (富山県大 工)
資料名： シミュレーション  (Journal of the Japan Society for Simulation Technology)
巻： 21  号： 1  ページ： 65-71  発行年： 2002年03月15日 
JST資料番号： L0458A  ISSN： 0285-9947  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (14件)：

• OHZONE, T. Three-Dimensional Effects of Latchup Turn-On CMOS and Forward-Biased n^+-Diode Measured by Photoemission. Proc. IEEE 1992 Int. Conf. on Microelectronic Test Structures. 1992, 5, 115-120
• OHZONE, T. A Two-Dimensional Analysis of Hot-Carrier Photoemission from LOCOS-and Trench-Isolated MOSFETs. Int. Electron Devices Meeting Tech. Dig. 1992, 527-530
• MATSUDA, T. A Study on Hot-Carrier-Induced Photoemission in n-MOSFETs. IEICE Trans. Electron. 1999, E82-C4, 593-601
• 亀田悦正. 半導体デバイス内の光伝搬経路と光量強度分布の一解析法. シミュレーション. 1999, 18-2, 121-127
• 亀田悦正. 半導体デバイス内の反射と透過を考慮した光伝搬経路と光量強度分布解析. シミュレーション. 2001, 20, 1, 78-85

タイトルに関連する用語 (8件)： 半導体デバイス ,  分布 ,  解析 ,  顕微鏡 ,  観測 ,  光強度分布 ,  伝搬経路 ,  シミュレーション