研究者
J-GLOBAL ID:200901076328237169
更新日: 2022年08月21日
三木 裕文
ミキ ヒロフミ | Miki Hirofumi
所属機関・部署:
東京理科大学 理工学部 物理学科 東京理科大学 理工学部 物理学科
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職名:
教授
研究分野 (1件):
半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (2件):
表面物性
, Surface Science
競争的資金等の研究課題 (2件):
1998 - 2008 光電子分光法によるPt表面上へのNO分子の吸着機構
1998 - 2008 Studies of NO chemisorption on Pt surface by photoelectron spectroscopy
MISC (50件):
S.Hara, H.Kobayashi, K.Irokawa, H.I.Fujishiro, K.Watanabe, H.Miki, A.Kawazu. Study of Si(0 0 1)4 × 2-Ga structure by scanning tunneling microscopy and ab initio calculation. SURFACE SCIENCE. 2007. 601. 12. 2415-2419
Shinsuke Hara, Hidekazu Kobayashi, Katsumi Irokawa, Hiroki I. Fujishiro, Kazuyuki Watanabe, Hirofumi Miki, Akira Kawazu. Study of Si(001)4 x 2-Ga structure by scanning tunneling microscopy and ab initio calculation. SURFACE SCIENCE. 2007. 601. 12. 2415-2419
S Hara, K Irokawa, H Miki, A Kawazu, H Torii, HI Fujishiro. Behavior of Ga atoms on Si(001) surface at high temperature. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2005. 98. 8. 083513-7page
S Hara, K Irokawa, H Miki, A Kawazu, H Torii, HI Fujishiro. Behavior of Ga atoms on Si(001) surface at high temperature. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2005. 98. 8. 083513-7page
Adsorption and decomposition of NO on Pt(112). Appl.Surt.Sci. 2001. 169. 170. 292-296
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講演・口頭発表等 (5件):
STM を用いたSi(113)表面におけるGa 高温吸着構造の研究
(第27回表面科学講演大会 2007)
STM を用いたSi(001) -C-c(4x4)上のGa 吸着構造の研究
(第27回表面科学講演大会 2007)
ARPES を用いたPt(335)表面におけるNO の吸着及び表面電子状態の研究
(第27回表面科学講演大会 2007)
Adsorption of NO on oxygen-modified Mo(112) surface studied by AES, LEED and ESDIAD
(IVC-17/ICSS-13/ ICN+T2007 2007)
Adsorption of NO on oxygen-modified Mo(112) surface studied by AES, LEED and ESDIAD
(IVC-17/ICSS-13/ ICN+T2007 2007)
学歴 (4件):
- 1971 東京理科大学 理学研究科 物理学
- 1971 東京理科大学
- 1966 東京理科大学 理学部 物理学
- 1966 東京理科大学
学位 (1件):
理学博士 (東京理科大学)
委員歴 (5件):
2006 - 2008 日本表面科学会 評議員
2003 - 2004 日本表面科学会 評議員
2002 - 2003 日本表面科学会 評議員
1999 - 1999 応用物理学会 評議員
日本表面科学会 理事
所属学会 (2件):
応用物理学会
, 日本表面科学会
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