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J-GLOBAL ID：200902268539027829   整理番号：07A0589741

走査型トンネル顕微鏡法とab initio計算によるSi(001)4×2-Ga構造の研究

Study of Si(001)4×2-Ga structure by scanning tunneling microscopy and ab initio calculation
著者 (7件)：
HARA Shinsuke

HARA Shinsuke について

(Dep. of Physics, Fac. of Sci. and Technol., Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, JPN)

Dep. of Physics, Fac. of Sci. and Technol., Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, JPN について

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KOBAYASHI Hidekazu

KOBAYASHI Hidekazu について

(Dep. of Physics, Fac. of Sci. and Technol., Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, JPN)

Dep. of Physics, Fac. of Sci. and Technol., Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, JPN について

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IROKAWA Katsumi

IROKAWA Katsumi について

(Dep. of Physics, Fac. of Sci. and Technol., Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, JPN)

Dep. of Physics, Fac. of Sci. and Technol., Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, JPN について

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FUJISHIRO Hiroki I.

FUJISHIRO Hiroki I. について

(Dep. of Applied Electronics, Fac. of Industrial Sci. and Technol., Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba ...)

Dep. of Applied Electronics, Fac. of Industrial Sci. and Technol., Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba ... について

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WATANABE Kazuyuki

WATANABE Kazuyuki について

(Dep. of Physics, Fac. of Sci., Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN)

Dep. of Physics, Fac. of Sci., Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN について

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MIKI Hirofumi

MIKI Hirofumi について

(Dep. of Physics, Fac. of Sci. and Technol., Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, JPN)

Dep. of Physics, Fac. of Sci. and Technol., Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, JPN について

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KAWAZU Akira

KAWAZU Akira について

(Dep. of Physics, Fac. of Sci. and Technol., Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, JPN)

Dep. of Physics, Fac. of Sci. and Technol., Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, JPN について


資料名：
Surface Science  (Surface Science)

Surface Science について


巻： 601  号： 12  ページ： 2415-2419  発行年： 2007年06月15日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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250°Cで0.50単原子層(ML)をわずかに超えるGe被覆率...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ケイ素

ケイ素 について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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模型

模型 について

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分類 (2件)：
分類
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半導体の表面構造 
(BK15030A)

半導体の表面構造 について

,  物理的手法を用いた吸着の研究 
(CB12043P)

物理的手法を用いた吸着の研究 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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走査型トンネル顕微鏡法

走査型トンネル顕微鏡法 について

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計算

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Si

Si について

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Ga

Ga について

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研究

研究 について


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