研究者
J-GLOBAL ID:200901079489891607
更新日: 2009年12月14日
渡辺 仁三
ワタナベ ジンゾウ | Watanabe Jinzo
所属機関・部署:
旧所属 徳島文理大学 工学部 情報システム工学科
旧所属 徳島文理大学 工学部 情報システム工学科 について
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職名:
教授
研究分野 (2件):
通信工学
, 電子デバイス、電子機器
研究キーワード (4件):
通信機器用集積回路
, 通信伝送機器
, ULSI for Telecom Application
, Telecommunication Transmission Equipment
競争的資金等の研究課題 (2件):
1997 - 移動目標指示装置に関する研究
Study on Moving Target Indicator
MISC (4件):
低エネルギイオン照射を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成に関する研究. 株式会社リアライズ社 電子出版"Dr's Archives". 1999. RDR000031. (WebSite)
Ultra Low-Temperature growth of high-integrity thin gate oxide films by low-energy ion-assisted oxidation. 1999. RDR000031. (WebSite)
Ultra Low-Temperature Growth of High-Integrity Thin Gate Oxide Films by Low-Energy Ion-Assisted Oxidation. Japanese Journal of Applied Physics. 1995. 34. Part1. No.2B,900
Ultra-low-temperature growth of high-integrity gate oxide films by low-energy ion-assisted oxidation. IEICE Technical Report, SDM94-76-82. 1994. 94. 194. 45
書籍 (10件):
低エネルギ・イオンアシスト酸化による超低温ゲート酸化膜形成(共著)
電子情報通信学会技術研究報告[シリコン材料・デバイス] 1994
Application of Dual-Frequency-Excitation Plasma Processing Equipment to High-Integrity ULSI Fabrication
Proceedings of the International Comference on Advanced Microelectronic Devices and Processing 1994
BPSG膜リフローの酸化量依存性(共著)
第51回応用物理学会学術講演会予稿集 1990
SiO<sub>2</sub>マスクのチャージアップによるエッチング形状への影響(共著)
第51回応用物理学会学術講演会予稿集 1990
WSi<sub>2</sub>/poly-Siエッチングの側壁保護膜による形状制御(共著)
第51回応用物理学会学術講演会予稿集 1990
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学歴 (4件):
- 1996 東北大学 工学研究科 固体電子工学
- 1996 東北大学
- 1960 東京工業大学 理工学部 物理学
- 1960 東京工業大学
学位 (1件):
博士(工学) (東北大学)
経歴 (4件):
1993 - 1994 極薄シリコン酸化膜の低温形成に関する研究
1993 - 1994 Ultra-low-temperature growth of gate oxide films
1991 - 1993 半導体製造装置の研究
1991 - 1993 Study on the manufacturing equipment for ULSI
所属学会 (2件):
電子情報通信学会
, 応用物理学会
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