研究者
J-GLOBAL ID:200901079489891607   更新日: 2009年12月14日

渡辺 仁三

ワタナベ ジンゾウ | Watanabe Jinzo
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (2件): 通信工学 ,  電子デバイス、電子機器
研究キーワード (4件): 通信機器用集積回路 ,  通信伝送機器 ,  ULSI for Telecom Application ,  Telecommunication Transmission Equipment
競争的資金等の研究課題 (2件):
  • 1997 - 移動目標指示装置に関する研究
  • Study on Moving Target Indicator
MISC (4件):
書籍 (10件):
  • 低エネルギ・イオンアシスト酸化による超低温ゲート酸化膜形成(共著)
    電子情報通信学会技術研究報告[シリコン材料・デバイス] 1994
  • Application of Dual-Frequency-Excitation Plasma Processing Equipment to High-Integrity ULSI Fabrication
    Proceedings of the International Comference on Advanced Microelectronic Devices and Processing 1994
  • BPSG膜リフローの酸化量依存性(共著)
    第51回応用物理学会学術講演会予稿集 1990
  • SiO<sub>2</sub>マスクのチャージアップによるエッチング形状への影響(共著)
    第51回応用物理学会学術講演会予稿集 1990
  • WSi<sub>2</sub>/poly-Siエッチングの側壁保護膜による形状制御(共著)
    第51回応用物理学会学術講演会予稿集 1990
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学歴 (4件):
  • - 1996 東北大学 工学研究科 固体電子工学
  • - 1996 東北大学
  • - 1960 東京工業大学 理工学部 物理学
  • - 1960 東京工業大学
学位 (1件):
  • 博士(工学) (東北大学)
経歴 (4件):
  • 1993 - 1994 極薄シリコン酸化膜の低温形成に関する研究
  • 1993 - 1994 Ultra-low-temperature growth of gate oxide films
  • 1991 - 1993 半導体製造装置の研究
  • 1991 - 1993 Study on the manufacturing equipment for ULSI
所属学会 (2件):
電子情報通信学会 ,  応用物理学会
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