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J-GLOBAL ID：200902182266189624   整理番号：94A0771893

低エネルギ・イオンアシスト酸化による超低温ゲート酸化膜形成

Ultra-low-temperature growth of high-integrity gate oxide films by low-energy ion-assisted oxidation.

著者 (4件)： 渡辺仁三 (東北大 工) ,  河合泰明 (東北大 工) ,  小西信博 (東北大 工) ,  大見忠弘 (東北大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 94  号： 194(SDM94 76-82)  ページ： 45-50  発行年： 1994年08月18日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： アルゴンと酸素の混合ガスプラズマからの低いエネルギーのイオン...

シソーラス用語： 酸化膜 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低エネルギ ,  イオン ,  アシスト ,  酸化 ,  超低温 ,  ゲート酸化膜