研究者
J-GLOBAL ID:200901080608911814   更新日: 2019年03月23日

宮本 智之

ミヤモト トモユキ | MIYAMOTO Tomoyuki
所属機関・部署:
職名: 准教授
ホームページURL (1件): http://vcsel-www.pi.titech.ac.jp/
研究分野 (2件): 応用物性 ,  電子デバイス・電子機器
研究キーワード (4件): 光無線給電 ,  光デバイス ,  固体デバイス ,  光通信方式・機器
競争的資金等の研究課題 (2件):
  • 面発光レーザに関する研究
  • III-V族半導体結晶成長
MISC (118件):
  • "Tomoyuki Miyamoto, Sshigeki Makino, Yoshihiko Ikenaga, Masataka Ohota, Fumio Koyama". Wavelength elongation of GaInNAs lasers beyond 1.3μm. Proc. IEE. 2003. 150. 1. 59-63
  • "Tomoyuki Miyamoto, Takeo Kageyama, Shigeki Makino, Dietmar Schlenker, Fumio Koyama, Kenichi Iga". CBE and MOCVD growth of GaInNAs. J. Crystal Growth. 2000. 209. 2/3. 339-344
  • 宮本智之. 面発光レーザーの最近の進展. O plus E. 2009. 31. 11. 1251-1257
  • 宮本智之. VCSEL技術の現状と課題. レーザー研究. 2009. 37. 9. 649-656
  • "Tomoyuki Sengoku, Ryoichiro Suzuki, Kosuke Nemoto, Satoru Tanabe, Fumio Koyama, Tomoyuki Miyamoto". Photoluminescence characteristics of InAs quantum dots with GaInP cover layer grown by metalorganic chemical vapor deposition. Jpn. J. Appl. Phys. 2009. 48. 70203. 1-3
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書籍 (4件):
  • 先端光エレクトロニクスシリーズ7 面発光レーザの基礎と応用
    共立出版株式会社 1999
  • 理工系のための解く!複素解析
    講談社 2005
  • レーザーハンドブック
    オーム社 2005
  • レーザーディスプレイ ?基礎から応用まで?
    オプトロニクス社 2010 ISBN:978-4-902312-43-0
講演・口頭発表等 (360件):
  • CBE法による高成長速度時におけるGaInAs/InP多重量子井戸の成長
    (第51回応用物理学会学術講演会 1990)
  • CBE法によるGaInAs(P)/InP多層膜反射鏡の成長
    (第51回応用物理学会学術講演会 1990)
  • Ultra-thin Ga<sub><small>x</small></sub>In<sub><small>1-x</small></sub>As/InP (0<x<0.47) layer growth by chemical beam epitaxy
    (3rd Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials 1991)
  • PL study on structure dependence of Ga<sub><small>x</small></sub>In<sub><small>1-x</small></sub>As/InP strained multi-quantum wells grown by CBE
    (23th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials 1991)
  • Photoluminescence characterization of Ga<sub><small>x</small></sub>In<sub><small>1-x</small></sub>As (0<x<0.32) strained quantum wells grown on InP by chemical beam epitaxy
    (3rd Int. Conf. on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques 1991)
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Works (6件):
  • 光エレクトロニクスデバイスの高性能化に関する研究
    2002 - 2002
  • MOCVDによるGaInNAs面発光レーザの研究
    2002 - 2002
  • MOCVDによるGaInNAs面発光レーザの研究
    2003 - 2003
  • 光エレクトロニクスデバイスの高性能化に関する研究
    2003 - 2003
  • MOCVDによるGaInNAs面発光レーザの研究
    2004 - 2004
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学歴 (2件):
  • - 1991 東京工業大学 工学部 電子物理工学科
  • - 1996 東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物理情報工学専攻
学位 (2件):
  • 工学博士 (東京工業大学)
  • 工学修士 (東京工業大学)
経歴 (4件):
  • 1996 - 1998 東京工業大学 精密工学研究所 助手
  • 1998 - 2000 東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター 講師
  • 2004 - 2006 文部科学省 研究振興局基礎基盤研究課材料開発推進室 学術調査官(兼務)
  • 2000 - 東京工業大学 精密工学研究所 准教授
受賞 (7件):
  • 2005 - 平成17年度科学技術分野の文部科学大臣表彰若手科学者賞
  • 2004 - 応用物理学会光学論文賞
  • 2003 - 国際コミュニケーション基金優秀研究賞
  • 1997 - 平成8年度電子情報通信学会学術奨励賞
  • 2003 - 東京工業大学挑戦的研究賞
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所属学会 (3件):
応用物理学会 ,  電子情報通信学会 ,  IEEE/Photonics Society
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