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J-GLOBAL ID：200902236378163841   整理番号：09A0970814

VCSEL技術の現状と課題

Recent Progress and Hot Technologies of Vertical-Cavity Surface Emitting Lasers

著者 (1件)： 宮本智之 (東京工大 精密工研 マイクロシステム研究セ)
資料名： レーザー研究  (レーザー学会誌)
巻： 37  号： 9  ページ： 649-656  発行年： 2009年09月15日 
JST資料番号： X0335A  ISSN： 0387-0200  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 垂直共振器面発光レーザ(VCSEL)は,半導体基板に垂直に光出射し,既存のレーザに比べて,低消費電力でアレイ集積が可能という特徴に加え,優れた生産性が期待される。ここでは,面発光レーザについて,その特徴と作製技術を概説した。面発光レーザの特徴とその基本的構成,面発光レーザの波長域拡大,面発光レーザの高速変調技術,面発光レーザの波長制御技術,面発光レーザのモード制御,新しい構造と製作技術を述べた。面発光レーザについて,基本的な特徴や製作技術を述べると共に,主に光LANなどへの応用に向けた研究のトピックスとして,波長域拡大,高速化や波長可変技術,新しい作製技術や構成法を解説した。これらの技術の発展により,従来システムの性能向上が可能になり,新たなフォトニクス分野の開拓も期待される。

シソーラス用語： *垂直共振器形面発光レーザ ,  技術開発 ,  技術展望 ,  研究開発 ,  オプトエレクトロニクス ,  消費電力 ,  周波数制御 ,  可変波長レーザ ,  生産性 ,  LAN【通信】 ,  レーザ共振器 ,  高速化 ,  フォトニクス ,  モード制御 ,  制御技術
準シソーラス用語： 性能向上 ,  波長制御

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (43件)：

• IGA, K. Jpn. J. Appl. Phys. 2008, 47, 1
• SODA, H. Jpn. J. Appl. Phys. 1979, 18, 2329
• KOYAMA, F. Appl. Phys. Lett. 1989, 55, 221
• LEE, Y. H. Electron. Lett. 1989, 25, 1377
• HUFFAKER, D. L. Appl. Phys. Lett. 1994, 65, 97

タイトルに関連する用語 (2件)： VCSEL ,  現状