研究者
J-GLOBAL ID:200901082687139377
更新日: 2020年05月02日
金 倉満
キム チャンマン | Kim Changman
所属機関・部署:
旧所属 早稲田大学 理工学術院
旧所属 早稲田大学 理工学術院 について
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職名:
助手
ホームページURL (1件):
http://www.ozaki.elec.waseda.ac.jp
研究分野 (1件):
電気電子材料工学
研究キーワード (9件):
ナノドット
, 強磁性体
, 超伝導体など)
, 絶縁体
, 有機物
, 超誘電体
, 磁性体
, 誘電体
, 電気・電子材料(半導体
競争的資金等の研究課題 (2件):
STSによる強磁性体ナノドットの電子構造
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MISC (6件):
C Kim, Y Oikawa, J Shin, H Ozaki. Co-dot-array formation along scratches on Si(111) surface by electroless deposition. MICROELECTRONICS JOURNAL. 2003. 34. 5-8. 607-609
C Kim, Y Oikawa, J Shin, H Ozaki. Ni dot array formation on scratches of Si(111) by electroless deposition. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 2002. 41. 2B. L178-L179
水溶液中でのSi(111)表面スクラッチへのNiドット・アレイ形成. 第9回マイクロ技術研究交流シンポジウム予稿集. 2002. pp. 28-29
Co-Dot-Array Formation along scratches on Si(111) surface by Electroless Deposition. 4th Int. Conf. on Low Dimensional Structures and Devices. 2002. PS-I-29
電気化学手法によりSi(111)表面スクラッチに形成したNiドット・アレイのMFMによる評価. 日本物理学会講演概要集2001年秋季大会. 2001. 19aWD-13
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学位 (1件):
修士(工学) (早稲田大学)
所属学会 (3件):
日本表面科学会
, 日本物理学会
, 応用物理学会
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