研究者

J-GLOBAL ID：200901083638947367 更新日: 2024年08月08日

澤彰仁

サワアキヒト | Sawa Akihito

所属機関・部署：
ホームページURL (1件)： http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=A25475677

研究分野 (2件)：電気電子材料工学 , 電力工学

競争的資金等の研究課題 (1件)：

強相関電子技術に関する研究

論文 (1件)：

S. Kosaka, H. Obara, A. Sawa. Magnetization properties and vortex states of YBa2Cu3Oy/PrBa2Cu3Oy multilayered films. Denshi Gijutsu Sogo Kenkyusho Iho/Bulletin of the Electrotechnical Laboratory. 1994. 58. 6. 164-165

MISC (34件)：

A. Sawa, T. Fujii, M. Kawasaki, Y. Tokura. Interface resistance switching at a few nanometer thick perovskite manganite active layers. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2006. 88. 23. 232112-1-232112-3
Y. Tokunaga, Y. Kaneko, J. P. He, T. Arima, A. Sawa, T. Fujii, M. Kawasaki, Y. Tokura. Colossal electroresistance effect at metal electrode/La1-xSr1+xMnO4 interfaces. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2006. 88. 22. 223507-
Y. Tokunaga, Y. Kaneko, J. P. He, T. Arima, A. Sawa, T. Fujii, M. Kawasaki, Y. Tokura. Colossal electroresistance effect at metal electrode/La1-xSr1+xMnO4 interfaces. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2006. 88. 22. 223507-1-223507-3
遷移金属酸化物による抵抗変化型不揮発性メモリー(ReRAM). 応用物理. 2006
澤彰仁, 藤井健志, 川崎雅司, 十倉好紀. ペロブスカイト型酸化物ヘテロ接合の抵抗スイッチング・メモリ. 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス. 2005. 105. 155. 23-26

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