文献

J-GLOBAL ID：200902211549180003   整理番号：06A0724879

遷移金属酸化物による抵抗変化型不揮発性メモリー(ReRAM)

Nonvolatile resistance-switching memory in transition-metal oxides (ReRAM)

著者 (1件)： 澤彰仁 (産業技術総合研 強相関電子技術研究セ)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 75  号： 9  ページ： 1109-1114  発行年： 2006年09月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 絶縁体または半導体の遷移金属酸化物を金属電極で挟んだ素子に,...

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,...
準シソーラス用語： *ReRAM ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=06A0724879&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0252A") }}

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

引用文献 (33件)：

• ZHUANG, W. W. Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., San Francisco, 2002. 2002, 193
• BAEK, I. G. Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., San Francisco, 2004. 2004, 587
• LIU, S. Q. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 2749
• BECK, A. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 139
• BAEK, I. G. Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., Washington, D. C., 2005. 2005, 769

タイトルに関連する用語 (4件)： 遷移金属酸化物 ,  抵抗変化 ,  不揮発性メモリー ,  ReRAM