研究者
J-GLOBAL ID:200901084940804350
更新日: 2024年12月18日
永井 久雄
ナガイ ヒサオ | Nagai Hisao
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所属機関・部署:
名古屋大学 大学院(院生)
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職名:
大学院学生(博士課程)
研究分野 (1件):
薄膜、表面界面物性
研究キーワード (2件):
プラズマプロセス
, Plasma Process
競争的資金等の研究課題 (2件):
高密度プラズマを用いた低誘電率層間絶縁膜エッチングに関する研究
Studies on Etching Mechanism of Interlayer Low-k Films Employing High-Density Plasma
MISC (1件):
H Nagai, S Takashima, M Hiramatsu, M Hori, T Goto. Behavior of atomic radicals and their effects on organic low dielectric constant film etching in high density N-2/H-2 and N-2/NH3 plasmas. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2002. 91. 5. 2615-2621
学歴 (2件):
- 1999 名城大学 工学研究科 電気電子工学
- 1999 名城大学
学位 (1件):
工学修士 (名城大学)
委員歴 (1件):
電気学会 学生員
受賞 (1件):
2001 - DPS 2000 Award for Young Researcher
所属学会 (2件):
電気学会
, 応用物理学会
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