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J-GLOBAL ID：200902180591257056   整理番号：02A0323551

高密度N₂/H₂およびN₂/NH₃プラズマ中の原子ラジカルの振舞いとその有機低誘電率薄膜のエッチングに及ぼす影響

Behavior of atomic radicals and their effects on organic low dielectric constant film etching in high density N₂/H₂ and N₂/NH₃ plasmas.

著者 (5件)： NAGAI H (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKASHIMA S (Nippon Laser & Electronics LAB, Nagoya, JPN) ,  HIRAMATSU M (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  HORI M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  GOTO T (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 91  号： 5  ページ： 2615-2621  発行年： 2002年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機薄膜,FLARE(商標名)は低誘電率の層間絶縁膜として有...

シソーラス用語： 高分子薄膜 ,...
準シソーラス用語： エッチング速度

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ診断  (BJ02090L)

タイトルに関連する用語 (9件)： N2 ,  H2 ,  NH3 ,  プラズマ ,  原子 ,  ラジカル ,  振舞い ,  低誘電率薄膜 ,  エッチング