研究者
J-GLOBAL ID:200901087858905644
更新日: 2020年08月26日
弓場 愛彦
ユバ ヨシヒコ | Yuba Yoshihiko
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所属機関・部署:
大阪大学 大学院基礎工学研究科 システム創成専攻 電子光科学領域
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職名:
助教授
研究分野 (4件):
電気電子材料工学
, 結晶工学
, 応用物性
, 半導体、光物性、原子物理
競争的資金等の研究課題 (6件):
半導体の格子欠陥の研究
イオンビームによる微細加工技術の研究
半導体ヘテロ構造デバイスの研究
Study of defects in Semiconductors
Study of microfabrication by ion beam processing
Study of Semiconductor Heterostructure device
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MISC (32件):
S Tsubaki, N Fujita, F Wakaya, Y Yuba, K Gamo. Linear and nonlinear transports of coupled quantum dots. SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES. 2000. 27. 5-6. 363-367
N Fujita, F Wakaya, Y Yuba, K Gamo. Transport of coupled double quantum dots in series. PHYSICA E. 2000. 7. 3-4. 420-424
Magnetization process and resistance jumps in a submicron-scale cross-shaped Co wire. J. Magn. Magn. Mat. 2000. 222. 1/2. 79-85
Carrier profiles and electron traps at a growth-interrupted layer in GaAs fabricated by a focused ion beam and molecular beam epitaxy combined system. Appl. Surf. Sci. 2000. 159/160. 277-281
Carrier distribution profiles in Si-doped layers in GaAs formed by focused ion implantation and succesive overlayer growth. J. Vac. Sci. Technol. B. 2000. 18. 6. 3158-3161
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書籍 (2件):
Characterization of laterally selected Si doped layer formed in Ga As using a low energy FIB-MBE combined system
Materials Res. Soc. Symp. 1997
Investigation of Damage Induced by Low Energy Focused Ion Beam Irradiation in GaAs
Materials Res. Soc. Symp. 1994
学歴 (4件):
- 1974 大阪大学 基礎工学研究科 電気工学
- 1974 大阪大学
- 1967 大阪大学 基礎工学部 電気工学科
- 1967 大阪大学
学位 (1件):
工学博士 (大阪大学)
経歴 (4件):
1988 - 1996 大阪大学 助手
1988 - 1996 Osaka University, Research Associate
1980 - 1988 大阪大学 教務員
1980 - 1988 Osaka University, Research Assistant
所属学会 (3件):
日本材料学会
, 電気学会
, 応用物理学会
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