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J-GLOBAL ID：200902175096250793   整理番号：00A0812155

集束イオンビームと分子ビームエピタクシーの組合せ系により作製したGaAsにおける成長中断層でのキャリアプロフィルと電子トラップ

Carrier profiles and electron traps at a growth-interrupted layer in GaAs fabricated by a focused ion beam and molecular beam epitaxy combined system.

著者 (6件)： GOTO T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HADA T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YANAGISAWA J (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  WAKAYA F (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YUBA Y (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  GAMO K (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 159/160  ページ： 277-281  発行年： 2000年06月 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記組合せ系を用いた200eV又は30keVのSi集束イオン...

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (10件)： 集束イオンビーム ,  分子ビームエピタクシー ,  組合せ ,  作製 ,  GaAs ,  成長 ,  中断 ,  キャリア ,  プロフィル ,  電子トラップ