研究者
J-GLOBAL ID:200901092943642052
更新日: 2022年09月16日
澤田 孝幸
サワダ タカユキ | Sawada Takayuki
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所属機関・部署:
北海道科学大学 工学部 電気電子工学科
北海道科学大学 工学部 電気電子工学科 について
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職名:
教授
研究分野 (4件):
電子デバイス、電子機器
, 電気電子材料工学
, 結晶工学
, 応用物性
研究キーワード (4件):
電子・電気材料工学
, 応用物性・結晶工学
, Applied Physics of Propertie and Crystallography
, Electronic and Electric Materials Engineering
競争的資金等の研究課題 (8件):
化合物半導体界面の評価と電子デバイスへの応用
半導体量子機能デバイスの作製と評価
(]G0003[)-(]G0005[)族化合物半導体表面・界面の評価と電子デバイスへの応用
窒化ガリウム系半導体の結晶成長と評価
Characterization of compound semiconductor interfaces and their applications to electron devices
Fabrication and characterization of semiconductor quantum functional devices
Characterization of (]G0003[)-(]G0005[)Compound Semiconductor interfaces and their applications to electron devices
Growth and Characterization of CaN-related compound semiconductors
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MISC (78件):
Sawada Takayuki, Kaizuka Yuta, Takahashi Kensuke, IMAI Kazuaki. Characterization of Ni/i-AlGaN/GaN Schottky Samples Fabricated after H3PO4-Etching. 電子情報通信学会技術研究報告. 2008. ED2008-107. 122. 351-355
M. Ohashi, G. Shigaura, Y. Ichinohe, M. Kanamori, Y. Chikarayumi, Y. Sasaki, Na Kimura, No Kimura, T. Sawada, K. Suzuki, et al. Light up-conversion mechanism of ZnSe-ZnTe superlattices. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2007. 301. 306-309
G. Shigaura, M. Ohashi, Y. Ichinohe, M. Kanamori, Na Kimura, No Kimura, T. Sawada, K. Suzuki, K. Imai. Deep emissions of MBE-ZnTe on tilted GaAs substrate. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2007. 301. 297-300
T.Sawada, K.Takahashi, K.Ise, K.Suzuki, K.Kitamori, N.Kimura, K.Imai, S.-W.Kim, T. Suzuki. Suppression of Gate Leakage Current in i-AlGaN/GaN Hetero- strucures by Insertion of Anodic Al2O3 Layer and Influence of Thermal Annealing on Channel Electrons. phys. stat. sol. (c). 2007. 4. 2686-2689
T. Sawada, N. Kimura, K. Suzuki, K. Imai, S. -W. Kim, T. Suzuk. Electrical properties of Ni/i-AlGaN/GaN structures and influence of thermal annealing. PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 6. 2006. 3. 6. 1704-1708
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Works (4件):
金属/GaN系半導体界面の評価
1998 - 2001
Characterization of Metal/GaN interfaces
1998 - 2001
(]G0003[)-(]G0005[)族半導体のMBE成長と評価
1995 - 2001
MBE-growth and Characterization of (]G0002[)-(]G0006[) Compound Semiconductors
1995 - 2001
学歴 (2件):
- 1977 北海道大学 工学研究科 電気工学
- 1977 北海道大学
学位 (2件):
工学博士 (北海道大学)
工学修士 (北海道大学)
経歴 (14件):
1991 - 1994 北海道大学 教授
1991 - 1994 北海道大学
1994 - - 北海道工業大学 教授
1994 - - Hokkaido Institute of Technology, Professor
1987 - 1991 電気通信大学 講師・助教授
1987 - 1991 University of Electro-Communications,
1986 - 1987 北海道大学 助手
1986 - 1987 Hokkaido University, Research Assistant
1984 - 1985 コロラド大学 客員研究員
1984 - 1985 University of Colorado, Visiting Research
1978 - 1984 北海道大学 助手
1978 - 1984 Hokkaido University, Research Assistant
Lecturer and Assistant Professor
Associate
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所属学会 (3件):
電気学会
, 電子情報通信学会
, 応用物理学会
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