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J-GLOBAL ID：200902219844498571   整理番号：08A0833271

リン酸エッチング後に作製したNi/i-AlGaN/GaNショットキ試料

Characterization of Ni/i-AlGaN/GaN Schottky Samples Fabricated after H₃PO₄-Etching

著者 (4件)： SAWADA Takayuki (Hokkaido Inst. Technol., Sapporo, JPN) ,  KAIZUKA Yuta (Hokkaido Inst. Technol., Sapporo, JPN) ,  TAKAHASHI Kensuke (Hokkaido Inst. Technol., Sapporo, JPN) ,  IMAI Kazuaki (Hokkaido Inst. Technol., Sapporo, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 108  号： 121(ED2008 39-108)  ページ： 351-355  発行年： 2008年07月02日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 様々な厚さのAlGaN層の厚さを持つ,むき出しのi-AlGaN/GaNおよびNi/i-AlGaN/GaNのショットキ試料を,熱リン酸(H₃PO₄)中ウェットエッチングにより準備し,ホール効果,I-VおよびC-V測定により系統的に電気特性を調べた。むき出しの試料では,AlGaN層が薄いほど,一定の表面バリア高さの理論曲線に応じて,より低い2DEG密度を示した。ショットキ試料では,AlGaN層が薄くなると順方向および逆方向の両方の電流が増加し,漏れやすいパッチとバリアを通る単純なトンネル効果が合わさった漏れ電流により,この挙動は説明できる。C-V測定の結果は,AlGaN層が結晶欠陥を除き,かなり一様にエッチングされていることをサポートしている。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： エッチング ,  リン酸 ,  電流電圧特性 ,  Hall効果 ,  ニッケル ,  *半導体材料 ,  *窒化ガリウム ,  *Schottky障壁 ,  *電気特性 ,  *ヘテロ接合 ,  ウェットエッチング ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： Ni ,  *AlGaN

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： リン酸 ,  エッチング ,  作製 ,  Ni ,  GaN ,  試料