研究者
J-GLOBAL ID：200901099738229678   更新日: 2020年05月09日

長谷川 文夫

ハセガワ フミオ | Hasegawa Fumio
所属機関・部署：
旧所属 工学院大学 工学部 情報通信工学科

旧所属 工学院大学 工学部 情報通信工学科 について


職名： 教授,筑波大学名誉教授
研究分野 (4件)： 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学 ,  結晶工学 ,  応用物性
競争的資金等の研究課題 (2件)：
  • 2004 - 2007 窒化物半導体の結晶成長と電子デバイス、光デバイスへの応用
  • 2004 - 2007 Epitaxial growth of nitride semiconductors and its application to elecronic and photonic devices
MISC (48件)：
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書籍 (6件)：
  • 半導体デバイス
    産業図書(株) 1987
  • Semiconductor Devices
    1987
  • ガリウムヒ素
    丸善(株) 1986
  • Gallium Arsenide
    1986
  • GaAs FET Principle and Technology: Chapter 3; Low Noise GaAs FET, Chapter 4; Power GaAs FET
    Artech House, Inc. Edited by J.D.DiLorenzo 1982
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学位 (1件)：
  • 工学博士 (東北大学)
経歴 (20件)：
  • 1999 - 2004 筑波大学 物理工学系 教授
  • 1999 - 2004 Professor, Institute of Applied Physics, University of Tsukuba
  • 2004 - - 工学院大学 工学部 電子工学科 特別専任教授
  • 2004 - - Professor, Dept. Electronics Engineering, Kogakuin University
  • 1988 - 1999 筑波大学 物質工学系 教授
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