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J-GLOBAL ID：200902221144102566   整理番号：05A0605999

β-FeSi₂粒子/Si多層活性領域を持つSiベース発光ダイオードに関する分子ビームエピタクシーによる成長およびキャラクタリゼーション

Growth and Characterization of Si-Based Light-Emitting Diode with β-FeSi₂-Particles/Si Multilayered Active Region by Molecular Beam Epitaxy

著者 (5件)： SUNOHARA Tsuyoshi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  LI Cheng (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  OZAWA Yoshinori (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SUEMASU Takashi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  HASEGAWA Fumio (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 6A  ページ： 3951-3953  発行年： 2005年06月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： β-FeSi₂に対する反応性蒸着エピタ...

シソーラス用語： *多層 ,...

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分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (21件)：

• 1) M. C. Bost and J. E. Mahan: J. Appl. Phys. 58 (1985) 2696.
• 2) D. Leong, M. Harry, K. J. Reeson and K. P. Homewood: Nature 387 (1997) 686.
• 3) T. Suemasu, Y. Negishi, K. Takakura and F. Hasegawa: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L1013.
• 4) T. Suemasu, Y. Negishi, K. Takakura, F. Hasegawa and T. Chikyow: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 1804.
• 5) M. A. Lourenco. T. M. Butler, A. K. Kewell, R. M. Gwilliam, K. J. Kirkby and K. P. Homewood: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 4041.

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  多層 ,  活性領域 ,  発光ダイオード ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  キャラクタリゼーション