Ne,Ar,Kr,XeおよびAr+H<sub>2</sub>を用いて円筒型マグネトロンスパッタリングによって蒸着した無定形シリコン膜の内部応力

THORNTON J A; HOFFMAN D W

文献

J-GLOBAL ID：200902000105784084 整理番号：81A0313375

Ne,Ar,Kr,XeおよびAr+H₂を用いて円筒型マグネトロンスパッタリングによって蒸着した無定形シリコン膜の内部応力

Internal stresses in amorphous silicon films deposited by cylindrical magnetron sputtering using Ne,Ar,Kr,Xe, and Ar+H₂.

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巻： 18 号： 2 ページ： 203-207 発行年： 1981年03月
JST資料番号： C0789A ISSN： 0022-5355 CODEN： JVSTAL 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

これまでに,それ以下では内部応力が圧縮的で引張り以上となる作...

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半導体薄膜 , 固体の機械的性質一般

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Ne,Ar,Kr,XeおよびAr+H2を用いて円筒型マグネトロンスパッタリングによって蒸着した無定形シリコン膜の内部応力

Ne,Ar,Kr,XeおよびAr+H₂を用いて円筒型マグネトロンスパッタリングによって蒸着した無定形シリコン膜の内部応力