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J-GLOBAL ID：200902000472655703   整理番号：92A0786758

シリコン-カーバイド高電圧(400V)Schottky障壁ダイオード

Silicon-Carbide High-Voltage(400V) Schottky Barrier Diodes.

著者 (3件)： BHATNAGAR M (North Carolina State Univ., NC) ,  MCLARTY P K (North Carolina State Univ., NC) ,  BALIGA B J (North Carolina State Univ., NC)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 13  号： 10  ページ： 501-503  発行年： 1992年10月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 初めての高電圧(400V)シリコン-カーバイド(6H-SiC...

シソーラス用語： Schottky障壁ダイオード ,...

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分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  カーバイド ,  高電圧 ,  Schottky障壁ダイオード