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J-GLOBAL ID：200902000671366222   整理番号：93A0051873

H中で成長させて低温における脱イオン化放射線照射によってHを除くことによるワイドギャップ半導体の補償効果の抑制

Defeating Compensation in Wide Gap Semiconductors by Growing in H that is Removed by Low Temperature De-Ionizing Radiation.

著者 (4件)： VAN VECHTEN J A (Oregon State Univ., Oregon, USA) ,  ZOOK J D (Honeywell Inc., Minnesota, USA) ,  HORNING R D (Honeywell Inc., Minnesota, USA) ,  GOLDENBERG B (Honeywell Inc., Minnesota, USA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 31  号： 11  ページ： 3662-3663  発行年： 1992年11月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドギャップ半導体の補償効果の抑制方法を提案する。結晶成長...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 成長 ,  低温 ,  脱イオン化 ,  放射線照射 ,  ワイドギャップ半導体 ,  補償効果