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J-GLOBAL ID：200902000718400114   整理番号：91A0342456

ギャップ状態模型を用いた非晶質シリコン薄膜トランジスタ用の二次元デバイスシミュレータVENUS-2D/B

Two-dimensional device simulator VENUS-2D/B for amorphous silicon thin-film transistors using a gap-state model.

著者 (4件)： ISHIZUKA T (Fuji Research Inst. Corp., Tokyo) ,  SUMINO K (Fuji Research Inst. Corp., Tokyo) ,  IRIYE Y (Fuji Research Inst. Corp., Tokyo) ,  HIROSE M (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 30  号： 2A  ページ： L145-L148  発行年： 1991年02月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： a-Si:H薄膜トランジスタ(TFT)用として開発した二次元...

シソーラス用語： 捕獲中心 ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： ギャップ ,  模型 ,  非晶質シリコン ,  薄膜トランジスタ ,  デバイスシミュレータ ,  2D