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J-GLOBAL ID：200902001343344803   整理番号：85A0234268

GaAsの光補助ドライエッチング

Photon-assisted dry etching of GaAs.

著者 (3件)： BREWER P (Columbia Univ., New York) ,  HALLE S (Columbia Univ., New York) ,  OSGOOD R M JR (Columbia Univ., New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 45  号： 4  ページ： 475-477  発行年： 1984年08月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ArFレーザの紫外光によるGaAs単結晶の大面積ドライエッチ...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaAs ,  ドライエッチング