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J-GLOBAL ID：200902002247370778   整理番号：90A0923315

イオンビーム援助堆積で合成した窒化ほう素の特性評価と成長機構

Characterization and growth mechanisms of boron nitride films synthesized by ion-beam-assisted deposition.

著者 (4件)： BURAT O (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  BOUCHIER D (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  STAMBOULI V (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  GAUTHERIN G (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 68  号： 6  ページ： 2780-2790  発行年： 1990年09月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.25~2kVのイオン加速電圧を用いてBN膜の常温の高真空...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...
準シソーラス用語： イオンビーム援助蒸着 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオンビーム ,  援助 ,  堆積 ,  窒化ほう素 ,  特性評価 ,  成長