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J-GLOBAL ID：200902002773048546   整理番号：84A0014515

半導体デバイス用立方晶SiC大面積単結晶ウエハの作製

Production of large-area single-crystal wafers of cubic SiC for semiconductor devices.

著者 (3件)： NISHINO S (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  POWELL J A (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  WILL H A (NASA Lewis Research Center, Ohio)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 42  号： 5  ページ： 460-462  発行年： 1983年03月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶(100)Si基板上にSiH₄と...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 半導体デバイス ,  立方晶 ,  SiC ,  大面積 ,  単結晶ウエハ ,  作製