Si(100)面上へのGaAsエピタキシャル膜における転位密度の低減

FISCHER R; NEUMAN D; ZABEL H; MORKOC H; CHOI C; OTSUKA N

文献

J-GLOBAL ID：200902003437084565 整理番号：86A0383977

Si(100)面上へのGaAsエピタキシャル膜における転位密度の低減

Dislocation reduction in epitaxial GaAs on Si (100)

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資料名：
巻： 48 号： 18 ページ： 1223-1225 発行年： 1986年05月05日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記GaAs膜中のらせん転位の核生成と伝搬特性を調べ,その密...

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半導体の格子欠陥 , 半導体薄膜

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