高トランスコンダクタンスの面内ゲートトランジスタ

WIECK A D; PLOOG K

文献

J-GLOBAL ID：200902004163471148 整理番号：92A0738103

高トランスコンダクタンスの面内ゲートトランジスタ

High transconductance in-plane-gated transistors.

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資料名：
巻： 61 号： 9 ページ： 1048-1050 発行年： 1992年08月31日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

集束イオンビーム書き込みによって一次元電界効果トランジスタを...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , トランジスタ

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