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J-GLOBAL ID：200902004900498680   整理番号：91A0685875

間接バンドギャップ半導体のp-n接合ダイオードにおけるスピンに依存した電子と正孔のShockley-Read型再結合

Spin-dependent Shockley-Read recombination of electrons and holes in indirect-band-gap semiconductor p-n junction diodes.

著者 (5件)： RONG F C (U.S. Army Laboratory Command, Fort Monmouth, USA) ,  BUCHWALD W R (U.S. Army Laboratory Command, Fort Monmouth, USA) ,  POINDEXTER E H (U.S. Army Laboratory Command, Fort Monmouth, USA) ,  WARREN W L (U.S. Army Laboratory Command, Fort Monmouth, USA) ,  KEEBLE D J (Michigan Technological Univ., MI, USA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 34  号： 8  ページ： 835-841  発行年： 1991年08月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温におけるSiのスピンに依存した再結合現象は既存の理論では...

シソーラス用語： PN接合 ,...
準シソーラス用語： 禁止帯

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分類 (1件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 間接バンドギャップ ,  p-n接合 ,  ダイオード ,  スピン ,  電子 ,  正孔 ,  再結合