高ドーズの酸素注入によって形成した絶縁体上けい素構造中のドーパントの拡散の振舞い

FAHEY P; SOLMI S

文献

J-GLOBAL ID：200902006636545430 整理番号：87A0185193

高ドーズの酸素注入によって形成した絶縁体上けい素構造中のドーパントの拡散の振舞い

Behavior of dopant diffusion in a silicon-on-insulator structure formed by high-dose oxygen implantation.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=87A0185193&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=87A0185193&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

著者 (2件)： ,
資料名：
巻： 60 号： 12 ページ： 4329-4332 発行年： 1986年12月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

高濃度の酸素のイオン注入によって作製した絶縁体上けい素(SO...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=87A0185193&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】 , 固体中の拡散一般

, , , , ,

前のページに戻る