Ge(111)基板上に成長させたGaAsエピ層におけるGe偏析とその抑制

KAWAI T; YONEZU H; YOSHIDA H; PAK K

文献

J-GLOBAL ID：200902006683161063 整理番号：92A0727883

Ge(111)基板上に成長させたGaAsエピ層におけるGe偏析とその抑制

Ge segregation and its suppression in GaAs epilayers grown on Ge(111) substrate.

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巻： 61 号： 10 ページ： 1216-1218 発行年： 1992年09月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ヘテロ界面における組成原子の相互拡散を二次イオン質量分析で調...

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半導体薄膜 , 固体中の拡散一般

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