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J-GLOBAL ID：200902010165273670   整理番号：90A0795598

低温で良好な電気的性能を示すGa_0.51In_0.49P/GaAs HEMT

Ga_0.51In_0.49P/GaAs HEMT’s exhibiting good electrical performance at cryogenic temperatures.

著者 (4件)： CHAN Y-J (Univ. Michigan, MI) ,  PAVLIDIS D (Univ. Michigan, MI) ,  RAZEGHI M (Thomson-CSF/LCR, Orsay, FRA) ,  OMNES F (Thomson-CSF/LCR, Orsay, FRA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 37  号： 10  ページ： 2141-2147  発行年： 1990年10月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOCVDにより形成されたGa_0.51...

シソーラス用語： HEMT ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 低温 ,  GaAs ,  HEMT