InAsとInAsBiの超低温OMVPE

文献

J-GLOBAL ID：200902010475082785 整理番号：92A0235779

Ultra-Low Temperature OMVPE of InAs and InAsBi.

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資料名：
巻： 21 号： 2 ページ： 143-148 発行年： 1992年02月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

成長温度を275°Cに下げることでInAsBi中のBi濃度を,...

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半導体の結晶成長 , 固体デバイス材料

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