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J-GLOBAL ID：200902010863698321   整理番号：91A0329660

トリエチルシラン/水素の繰返し反応と酸化によるSiO₂のデジタル化学蒸着

Digital chemical vapor deposition of SiO₂ using a repetitive reaction of triethylsilane/hydrogen and oxidation.

著者 (4件)： SAKAUE H (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima) ,  NAKANO M (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima) ,  ICHIHARA T (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima) ,  HORIIKE Y (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 30  号： 1B  ページ： L124-L127  発行年： 1991年01月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： H₂の遠隔プラズマにより生成される水素...

シソーラス用語： 薄膜成長 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： トリエチルシラン ,  水素 ,  酸化 ,  SiO2 ,  デジタル ,  化学蒸着