n型の水素化アモルファスシリコンの状態密度に対する酸素,窒素および炭素の注入効果

MICHELSON C E; COHEN J D

文献

J-GLOBAL ID：200902011084582844 整理番号：90A0283363

n型の水素化アモルファスシリコンの状態密度に対する酸素,窒素および炭素の注入効果

Effects of the implantation of oxygen, nitrogen, and carbon on the density of states of n-type hydrogenated amorphous silicon.

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巻： 41 号： 3 ページ： 1529-1541 発行年： 1990年01月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

O,N,C不純物を注入した後のa-Si:Hの移動度ギャップg...

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半導体の放射線による構造と物性の変化 , 非晶質の電子構造一般

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