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J-GLOBAL ID：200902012113423730   整理番号：89A0356940

エキシマレーザ照射による結晶性シリコンの低温酸化

Low temperature oxidation of crystalline silicon using excimer laser irradiation.

著者 (4件)： NAYAR V (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  BOYD I W (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  GOODALL F N (Rutherford Appleton Lab., Oxon, GBR) ,  ARTHUR G (Rutherford Appleton Lab., Oxon, GBR)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 36  号： 1/4  ページ： 134-140  発行年： 1989年01月 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温(<650°C)での紫外レーザ(249,193nm)によ...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 直接リソグラフィー

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分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： エキシマレーザ ,  結晶性シリコン ,  低温酸化