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J-GLOBAL ID：200902012178853619   整理番号：91A0232956

Znの事前蒸着法のGaAs/AlGaAs系ヘテロバイポーラトランジスタへの利用

A Zn predeposition technique applied to GaAs/AlGaAs heterobipolar transistors.

著者 (3件)： SHIMAMOTO Y (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN) ,  ITAKURA K (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN) ,  UEDA D (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 8  号： 6  ページ： 1260-1263  発行年： 1990年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記トランジスタの外因性ベース領域を作るためのZnの事前処理...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 急速熱処理 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Zn ,  蒸着 ,  GaAs ,  AlGaAs