ラジオ周波数のグロー放電によって堆積させた多結晶SiC膜中のひずみに及ぼす堆積温度の効果

文献

J-GLOBAL ID：200902012692437365 整理番号：92A0272898

Effects of Doposition Temperature on Strain in Polycrystalline SiC Films Deposited by Radio-Frequency Glow Discharge.

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巻： 31 号： 3B ページ： L306-L308 発行年： 1992年03月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

シラン-メタン混合ガスを多量のH₂で希...

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半導体薄膜

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