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J-GLOBAL ID：200902012781295736   整理番号：87A0379502

中性子照射されたSiC中の欠陥

Defects in neutron irradiated SiC.

著者 (4件)： NAGESH V (Univ. Missouri, MO, USA) ,  FARMER J W (Univ. Missouri, MO, USA) ,  DAVIS R F (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  KONG H S (North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 50  号： 17  ページ： 1138-1140  発行年： 1987年04月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 深準位過渡スペクトル(DLTS)と抵抗測定に基づいて,Si(...

シソーラス用語： 中性子照射 ,...

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分類 (3件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 中性子照射 ,  SiC ,  欠陥