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J-GLOBAL ID：200902012797596671   整理番号：92A0519988

193及び248nmリソグラフィー用ポリシランフォトレジスト

Polysilane photoresists for 193 and 248nm lithography.

著者 (5件)： WALLRAFF G M ,  MILLER R D ,  BAIER M ,  GINSBURG E J ,  KUNZ R R
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 5  号： 1  ページ： 111-121  発行年： 1992年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリシラン(I)二層レジストの248nm湿式現像及び193n...

シソーラス用語： リソグラフィー ,...
準シソーラス用語： トリアジン誘導体 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の高分子の反応  (CG03040H)

引用文献 (18件)：

• 1). R. D. Miller, J. Michl, Chem. Rev., 1989, 89, 1359 and references cited therein.
• 2). a) R. D. Miller, D. Hofer, J. F. Rabolt, R. Sooriyakumaran, C. G. Willson, G. N. Fickes, J. C. Guillet, in Polymers for High Technology, Electronics and Photonics, ACS Symposium Series 346; M. J. Bowden, S. R. Turner, Eds., American Chemical Society, Washington, DC, 1987, Chapter 15. b) R. D. Miller, J. F. Rabolt, R. Sooriyakumaran, W. Fleming, G. N. Fickes, B. L. Farmer, H. Kuzmany, in Inorganic and Organometallic Polymers, ACS Symposium Series 360, M. Zeldin, K. J. Wynne, H. R. Allcock, Eds., American Chemical Society, Washington, DC, 1988, Chapter 4. c) C. Rosilio, A. Rosilio, R. Serre, Microelectronic Engineering, 1987, 5, 399.
• 3). G. M. Wallraff, R. D. Miller, N. Clecak, M. Baier, Proc. SPIE, 1991, 1466, 211.
• 4). R. D. Miller, D. Hofer, D. R. McKean, C. G. Willson, R. West, P. T. Trefonas III, in Materials for Microlithography, ACS Symposium Series 266, L. F. Thompson, C. G. Willson, J. M. J. Frechet, Eds., American Chemical Society, Washington, DC, 1984, Chapter 14.
• 5). R. R. Kunz, M. W. Horn, R. E. Goodman, G. M. Wallraff, R. D. Miller, E. J. Ginsburg, P. A. Bianconi, Proceedings SPIE, 1992, (in press).

タイトルに関連する用語 (3件)： リソグラフィー ,  ポリシラン ,  フォトレジスト