高品質Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>誘電体の連続的な表面化学反応に支配される成長

HIGASHI G S; FLEMING C G

文献

J-GLOBAL ID：200902012816609488 整理番号：90A0044591

高品質Al₂O₃誘電体の連続的な表面化学反応に支配される成長

Sequential surface chemical reaction limited growth of high quality Al₂O₃ dielectrics.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=90A0044591&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=90A0044591&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (2件)： ,
資料名：
巻： 55 号： 19 ページ： 1963-1965 発行年： 1989年11月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

トリメチルアルミニウムと水蒸気の連続的な表面反応を用いてSi...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=90A0044591&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

その他の無機化合物の薄膜

, , , , ,

前のページに戻る

高品質Al2O3誘電体の連続的な表面化学反応に支配される成長

高品質Al₂O₃誘電体の連続的な表面化学反応に支配される成長