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J-GLOBAL ID：200902013268140006   整理番号：90A0200069

830nm大電力低雑音の自己整合AlGaAs/GaAs二重量子井戸レーザ

830 nm high-power low-noise self-aligned AlGaAs/GaAs double-quantum-well lasers.

著者 (6件)： ISHIKAWA S (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  NIDO M (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  ENDO K (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  KOMAZAKI I (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUKAGAI K (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  YUASA T (NEC Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 25  号： 20  ページ： 1398-1399  発行年： 1989年09月28日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光ディスクの読み/書きシステム用低しきい値の自己整合により(...

シソーラス用語： 量子井戸レーザ ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 大電力 ,  低雑音 ,  自己整合 ,  AlGaAs ,  GaAs ,  量子井戸レーザ