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J-GLOBAL ID：200902013671520250   整理番号：84A0259013

反応性イオンエッチングによるゲート絶縁体の誘電破壊

Dielectric breakdown of gate insulator due to reactive ion etching.
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著者 (2件)：
WATANABE T

WATANABE T について

(Toshiba Corp., Kawasaki)

Toshiba Corp., Kawasaki について

, 
YOSHIDA Y

YOSHIDA Y について

(Toshiba Corp., Kawasaki)

Toshiba Corp., Kawasaki について


資料名：
Solid State Technology  (Solid State Technology)

Solid State Technology について


巻： 27  号： 4  ページ： 263-266  発行年： 1984年04月 
JST資料番号： E0226A  ISSN： 0038-111X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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RIE処理後の400ÅのSiO2は0...
シソーラス用語：
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エッチング

エッチング について

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分類 (1件)：
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

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タイトルに関連する用語
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反応性イオンエッチング

反応性イオンエッチング について

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ゲート絶縁体

ゲート絶縁体 について

, 
誘電破壊

誘電破壊 について


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