DX中心  SiをドープしたAl<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>Asの深準位と浅準位のクロスオーバ

OSHIYAMA A; OHNISHI S

文献

J-GLOBAL ID：200902014469811088 整理番号：86A0249526

DX中心 SiをドープしたAl_xGa_1-xAsの深準位と浅準位のクロスオーバ

DX center: Crossover of deep and shallow states in Si-doped Al_xGa_1-x As.

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巻： 33 号： 6 ページ： 4320-4323 発行年： 1986年03月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

離散変分Xαクラスタ計算(59クラスタを使用)に基づくDX中...

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不純物・欠陥の電子構造

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DX中心 SiをドープしたAlxGa1-xAsの深準位と浅準位のクロスオーバ

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