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J-GLOBAL ID：200902014507013514   整理番号：92A0500827

銅とけい素間の拡散障壁としてのタンタル 故障機構と窒素添加の効果

Tantalum as a diffusion barrier between copper and silicon: Failure mechanism and effect of nitrogen additions.

著者 (6件)： HOLLOWAY K (IBM, New York) ,  FRYER P M (IBM, New York) ,  CABRAL C JR (IBM, New York) ,  HARPER J M E (IBM, New York) ,  BAILEY P J (IBM, New York) ,  KELLEHER K H (IBM, New York)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 71  号： 11  ページ： 5433-5444  発行年： 1992年06月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ta,Ta₂NまたはN含有Ta合金の1...

シソーラス用語： 銅 ,...

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分類 (3件)： 半導体-金属接触【’81~’92】  (BM03073E) ,  金属中の拡散  (BL06022C) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 銅 ,  けい素 ,  拡散障壁 ,  タンタル ,  故障 ,  窒素添加